三星电子P3晶圆厂推迟到明年建成原计划今年年内建成

据国外媒体报道，三星电子计划在年底完成的P3晶圆厂建设将推迟到明年。

据知情人士透露，外媒报道称，三星电子P3晶圆厂的竣工时间被推迟。

知情人士透露，三星电子10月底开始建设晶圆厂的洁净室，NAND闪存生产线的建设推迟了一个月。

延期后，三星电子NAND闪存生产线的洁净室预计在明年第一季度完工。

知情人士还透露，NAND闪存生产线建设推迟了一个月，也影响了fab其他阶段的建设，也将相应推迟。

三星P3晶圆厂是他们迄今为止建造的最大的晶圆厂，于2020年年中开工建设，占地70万平方米。

三星电子P3晶圆厂的竣工将推迟到明年，这是一个混合晶圆厂，既生产存储芯片，也生产逻辑芯片。

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编辑：叶子琪