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SK海力士展示全球最高层321层NAND闪存样品,效率提高59%

日期:2023年08月09日 11:33   来源:IT之家   阅读量:5692   
导读:感谢IT之家网友OC_Formula、雨雪载途、华南吴彦祖的线索投递! ,SK海力士今日宣布,通过321层4DNAND样品的发布,正式成为业界首家正在开发300层以上NAND闪存的公司。 SK海力士宣布,将进一步完善321层NAND闪存...

感谢IT之家网友 OC_Formula、雨雪载途、华南吴彦祖 的线索投递!

,SK 海力士今日宣布,通过 321 层 4D NAND 样品的发布,正式成为业界首家正在开发 300 层以上 NAND 闪存的公司。

SK 海力士宣布,将进一步完善 321 层 NAND 闪存,并计划于 2025 年上半期开始量产。

IT之家附 SK 海力士 321 层 1Tb TLC NAND 介绍如下:

321 层 1Tb TLC NAND 的效率比上一代 238 层 512Gb 提高了 59%。这是由于数据存储的单元可以以更多的单片数量堆栈至更高,在相同芯片上实现更大存储容量,进而增加了单位晶圆上芯片的产出数量。

此外,SK 海力士还推出了针对这些需求而进行优化的下一代 NAND 产品解决方案:采用 PCIe 5 接口的企业级固态硬盘 (Enterprise SSD, eSSD) 及 UFS 4.0。

SK 海力士还表示,公司在目前积累的产品技术和不断优化企业内部解决方案的基础上,正在积极开发下一代 PCI 6.0 和 UFS 5.0 产品,以致力于在未来继续引领市场。

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编辑:肖鸥

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