台积电3nm制程工艺良品率目前预计最高63%尚不及4nm

，据外媒报道，台积电仍采用鳍式场效应晶体管架构的3nm制程工艺，在去年的12月29日正式开始商业化生产，量产之后产能在不断提升。

对于台积电量产已一个季度的3nm制程工艺，有外媒在报道中预计目前的良品率为63%或更低。

就外媒在报道中提到的良品率而言，台积电3nm制程工艺目前的良品率，同更早投产的4nm还是有差距。外媒在报道中表示，台积电4nm制程工艺的良品率目前预计在80%左右。

虽然目前台积电3nm制程工艺的良品率，预计同4nm还有差距，但随着量产时间的延长，良品率还会继续提升，未来有望达到甚至超过4nm工艺的水平。

全球目前有两家晶圆代工商已量产3nm制程工艺，另一家是三星电子。三星电子的3nm制程工艺在去年的6月30日量产，较台积电早近半年，所代工的首批晶圆，也已在去年的7月25日发货。

不过外媒在报道中，并未提及三星电子3nm制程工艺目前的良品率，但他们表示三星电子4nm制程工艺的良品率有明显提升，最少达到了70%，已接近台积电4nm制程工艺的良品率。

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编辑：谷小金